BAS516,115 NXP
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BAS516,115 NXP
Descrizione generale Diodo di commutazione ad alta velocità, incapsulato in un contenitore in plastica SMD (SurfaceMounted Device) SOD523 (SC-79) a conduttore piatto ultra piccolo. 2. Caratteristiche e vantaggi - Elevata velocità di commutazione: trr ≤ 4 ns - Bassa capacità - Bassa corrente di dispersione - Tensione inversa: VR ≤ 100 V - Piccolo contenitore in plastica SMD - Tensione inversa di picco ripetitiva: VRRM ≤ 100 V 3. Applicazioni - Commutazione ad alta velocità - Commutazione per uso generico
Descrizione generale Diodo di commutazione ad alta velocità, incapsulato in un contenitore in plastica SMD (SurfaceMounted Device) SOD523 (SC-79) a conduttore piatto ultra piccolo. 2. Caratteristiche e vantaggi - Elevata velocità di commutazione: trr ≤ 4 ns - Bassa capacità - Bassa corrente di dispersione - Tensione inversa: VR ≤ 100 V - Piccolo contenitore in plastica SMD - Tensione inversa di picco ripetitiva: VRRM ≤ 100 V 3. Applicazioni - Commutazione ad alta velocità - Commutazione per uso generico
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