BAS516,115 NXP

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Dettagli del prodotto
Inchiesta
BAS516,115 NXP


• Elevata velocità di commutazione: trr ≤ 4 ns
• Bassa capacità
• Bassa corrente di dispersione
• Tensione inversa: VR ≤ 100 V
• Piccolo contenitore in plastica SMD
• Tensione inversa di picco ripetitiva: VRRM ≤ 100 V
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