CY15B064Q-SXET CIPRESSO
Disponibile
CY15B064Q-SXET CIPRESSO
■ Memoria ad accesso casuale ferroelettrica (F-RAM) a 64 Kbit organizzata logicamente come 8K × 8
❐ Alta resistenza 10 trilioni (1013) di lettura/scrittura
❐ 121 anni di conservazione dei dati (vedere Conservazione e resistenza dei dati a pagina 12)
❐ NoDelay™ scrive
❐ Processo ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità
■ Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
❐ Frequenza fino a 16 MHz
❐ Sostituzione diretta dell'hardware per flash seriale ed EEPROM
❐ Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
■ Sofisticato schema di protezione da scrittura
❐ Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP)
❐ Protezione del software tramite l'istruzione Write Disable
❐ Protezione del blocco software per 1/4, 1/2 o intero array
■ Basso consumo energetico
❐ 300
A corrente attiva a 1 MHz ❐ 6
A (tipico) corrente di standby a +85 °C
■ Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 3,0 V a 3,6 V
■ Temperatura Automotive-E: da -40 °C a +125 °C
■ Package SOIC (Small Outline Integrated Circuit) a 8 pin
■ Conforme a AEC Q100 Grado 1
■ Conforme alla direttiva RoHS (Restriction of Hazardous Substances)
■ Memoria ad accesso casuale ferroelettrica (F-RAM) a 64 Kbit organizzata logicamente come 8K × 8
❐ Alta resistenza 10 trilioni (1013) di lettura/scrittura
❐ 121 anni di conservazione dei dati (vedere Conservazione e resistenza dei dati a pagina 12)
❐ NoDelay™ scrive
❐ Processo ferroelettrico avanzato ad alta affidabilità
■ Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce
❐ Frequenza fino a 16 MHz
❐ Sostituzione diretta dell'hardware per flash seriale ed EEPROM
❐ Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1)
■ Sofisticato schema di protezione da scrittura
❐ Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP)
❐ Protezione del software tramite l'istruzione Write Disable
❐ Protezione del blocco software per 1/4, 1/2 o intero array
■ Basso consumo energetico
❐ 300
A corrente attiva a 1 MHz ❐ 6
A (tipico) corrente di standby a +85 °C
■ Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 3,0 V a 3,6 V
■ Temperatura Automotive-E: da -40 °C a +125 °C
■ Package SOIC (Small Outline Integrated Circuit) a 8 pin
■ Conforme a AEC Q100 Grado 1
■ Conforme alla direttiva RoHS (Restriction of Hazardous Substances)
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