FDD86250 ACCESO

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Dettagli del prodotto
Inchiesta
FDD86250 ACCESO
Tratti somatici
Tecnologia MOSFET a gate schermato
Max rDs(on)= 22 mo a Vcs = 10 V, lp= 8AMax 「os(on)= 31 m a Vcs = 6 V, lp=6.5A100% UIL testato
Conforme alla direttiva RoHS
Descrizione generale
Questo MOSFET a canale N è prodotto utilizzando l'avanzato processo PowerTrench di Fairchild Semiconductors che incorpora la tecnologia Shielded Gate. Questo processo è stato ottimizzato per la resistenza in stato attivo e tuttavia mantiene prestazioni di commutazione superiori.
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