IDW32G65C5B Infineon
Disponibile
IDW32G65C5B Infineon
Materiale semiconduttore rivoluzionario - Carburo di silicio
Comportamento di commutazione di benchmark
Nessun recupero inverso/Nessun recupero in avanti
Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
Elevata capacità di corrente di picco
placcatura in piombo senza piombo; Conforme alla direttiva RoHS
Qualificato secondo JEDEC1) per applicazioni target
Tensione di rottura testata a 35 mA2) 3)
Ottimizzato per il funzionamento ad alta temperatura
Materiale semiconduttore rivoluzionario - Carburo di silicio
Comportamento di commutazione di benchmark
Nessun recupero inverso/Nessun recupero in avanti
Comportamento di commutazione indipendente dalla temperatura
Elevata capacità di corrente di picco
placcatura in piombo senza piombo; Conforme alla direttiva RoHS
Qualificato secondo JEDEC1) per applicazioni target
Tensione di rottura testata a 35 mA2) 3)
Ottimizzato per il funzionamento ad alta temperatura
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