IMW65R027M1H INFINEON
Disponibile
IMW65R027M1H INFINEON
•Comportamento di commutazione ottimizzato a correnti più elevate
•Commutazionerobustoa corpo rapidoa diodocon basso Qrr
•Affidabilità dell'ossido di gate superiore
•Migliore conducibilità termica e comportamento
•RDS(on) inferiore e corrente di impulso a seconda della temperatura
•Maggiore capacità valanghive
•Compatibile con driver standard (tensione di pilotaggio consigliata: 18 V)
•Comportamento di commutazione ottimizzato a correnti più elevate
•Commutazionerobustoa corpo rapidoa diodocon basso Qrr
•Affidabilità dell'ossido di gate superiore
•Migliore conducibilità termica e comportamento
•RDS(on) inferiore e corrente di impulso a seconda della temperatura
•Maggiore capacità valanghive
•Compatibile con driver standard (tensione di pilotaggio consigliata: 18 V)
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