M24C02-RMN6TP ST
Disponibile
M24C02-RMN6TP ST
• Compatibile con le seguenti modalità bus I2C:
– 400 kHz
– 100 kHz
• Array di memoria:
– 1 Kbit (128 byte) di EEPROM
– 2 Kbit (256 byte) di EEPROM
– Dimensione della pagina: 16 byte
• Tensione di alimentazione singola:
– M24C01/02-W: da 2,5 V a 5,5 V
– M24C01/02-R: da 1,8 V a 5,5 V
– M24C02-F: da 1,7 V a 5,5 V, da 1,6 V a 5,5 V (sotto vincolo di temperatura)
•Scrivere:
– Byte di scrittura entro 5 ms
– Scrittura pagina entro 5 ms
• Intervallo di temperatura di esercizio:
– da -40 °C fino a +85 °C
• Modalità di lettura casuale e sequenziale
• Protezione da scrittura dell'intero array di memoria
• Protezione ESD/latch-Up migliorata
• Più di 4 milioni di cicli di scrittura
• Più di 200 anni di conservazione dei dati
• Compatibile con le seguenti modalità bus I2C:
– 400 kHz
– 100 kHz
• Array di memoria:
– 1 Kbit (128 byte) di EEPROM
– 2 Kbit (256 byte) di EEPROM
– Dimensione della pagina: 16 byte
• Tensione di alimentazione singola:
– M24C01/02-W: da 2,5 V a 5,5 V
– M24C01/02-R: da 1,8 V a 5,5 V
– M24C02-F: da 1,7 V a 5,5 V, da 1,6 V a 5,5 V (sotto vincolo di temperatura)
•Scrivere:
– Byte di scrittura entro 5 ms
– Scrittura pagina entro 5 ms
• Intervallo di temperatura di esercizio:
– da -40 °C fino a +85 °C
• Modalità di lettura casuale e sequenziale
• Protezione da scrittura dell'intero array di memoria
• Protezione ESD/latch-Up migliorata
• Più di 4 milioni di cicli di scrittura
• Più di 200 anni di conservazione dei dati
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