MasterGaN1 ST

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Dettagli del prodotto
Inchiesta
MasterGaN1 ST
 
  • System-in-package da 600 V che integra gate driver a semiponte e transistor GaN di potenza ad alta tensione:
    • Contenitore QFN 9 x 9 x 1 mm
    • RDS(ON)= 150 mΩ
    • IoDS (MAX)= 10 A
  • Capacità di corrente inversa
  • Zero perdite di recupero inverso
  • Protezione UVLO sul lato basso e sul lato alto
  • Diodo bootstrap interno
  • Funzione di interblocco
  • Pin dedicato per la funzionalità di spegnimento
  • Corrispondenza accurata dei tempi interni
  • Ingressi compatibili da 3,3 V a 15 V con isteresi e pull-down
  • Protezione da sovratemperatura
  • Riduzione della distinta base
  • Layout molto compatto e semplificato
  • Design flessibile, facile e veloce.


 
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