MasterGaN1 ST
| Disponibile |
MasterGaN1 ST
- System-in-package da 600 V che integra gate driver a semiponte e transistor GaN di potenza ad alta tensione:
- Contenitore QFN 9 x 9 x 1 mm
- RDS(ON) = 150 mΩ
- IoDS (MAX) = 10 A
- Capacità di corrente inversa
- Zero perdite di recupero inverso
- Protezione UVLO sul lato basso e sul lato alto
- Ionternal bootstrap diode
- Ionterlocking function
- Pin dedicato per la funzionalità di spegnimento
- Corrispondenza accurata dei tempi interni
- Ingressi compatibili da 3,3 V a 15 V con isteresi e pull-down
- Protezione da sovratemperatura
- Riduzione della distinta base
- Layout molto compatto e semplificato
- Design flessibile, facile e veloce.
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