NCP81253MNTBG ACCESO
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NCP81253MNTBG ACCESO
• Package DFN8 termicamente migliorato da 2 mm x 2 mm
• Gamma VCC da 4,5 V a 5,5 V
• Diodo bootstrap interno
• Ingresso PWM a 3 stadi da 5 V
• Capacità di frenatura dei diodi tramite stato intermedio EN
• Il circuito di conduzione adattivo anti-cross protegge dalla conduzione incrociata durante l'accensione e lo spegnimento del FET
• Il controllo di disabilitazione dell'uscita disattiva entrambi i MOSFET tramite il pin di abilitazione
• Blocco di sottotensione VCC
• Questi dispositivi sono privi di piombo, alogeni/BFR e conformi alla direttiva RoHS
• Package DFN8 termicamente migliorato da 2 mm x 2 mm
• Gamma VCC da 4,5 V a 5,5 V
• Diodo bootstrap interno
• Ingresso PWM a 3 stadi da 5 V
• Capacità di frenatura dei diodi tramite stato intermedio EN
• Il circuito di conduzione adattivo anti-cross protegge dalla conduzione incrociata durante l'accensione e lo spegnimento del FET
• Il controllo di disabilitazione dell'uscita disattiva entrambi i MOSFET tramite il pin di abilitazione
• Blocco di sottotensione VCC
• Questi dispositivi sono privi di piombo, alogeni/BFR e conformi alla direttiva RoHS
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