NCV1060BD100R2G ACCESO

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Inchiesta
NCV1060BD100R2G ACCESO

• MOSFET da 670 V integrato con RDS(on) di 34 (NCV1060) e 11,4 (NCV1063)
• Ampia distanza di dispersione tra i pin ad alta tensione
• Funzionamento a frequenza fissa in modalità corrente – 60 kHz o 100 kHz
• Corrente di picco regolabile: vedi tabella sottostante
• Compensazione della rampa fissa
• Collegamento di feedback diretto per convertitore non isolato
• Circuito interno e regolabile di protezione da sovraccarico (OPP)
• Funzionamento skip-cycle solo a basse correnti di picco
• Autoalimentazione dinamica: non è necessario un avvolgimento ausiliario
• Avvio graduale interno da 4 ms
• Protezione da cortocircuito dell'uscita di recupero automatico con rilevamento basato su timer
• Protezione da sovratensione con recupero automatico con funzionamento dell'avvolgimento ausiliario
• Jittering di frequenza per una migliore firma EMI
• Consumo in ingresso senza carico < 50 mW
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1. Informazioni personali o aziendali
2. Fornire la richiesta di prodotto in modo molto dettagliato
3. Richiesta di MOQ, prezzo unitario, ecc

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