NTB110N65S3HF ACCESO
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NTB110N65S3HF ACCESO
• 700 V @ TJ= 150°C
• Typ. RDS(on)= 98 m
• Carica di gate ultra bassa (tip. qg= 62 nC)
• Bassa capacità di uscita effettiva (Typ. Coss(eff.)= 522 pF)
• Testato al 100% contro le valanghe
• Questi dispositivi sono privi di piombo e sono conformi alla direttiva RoHS
• 700 V @ TJ= 150°C
• Typ. RDS(on)= 98 m
• Carica di gate ultra bassa (tip. qg= 62 nC)
• Bassa capacità di uscita effettiva (Typ. Coss(eff.)= 522 pF)
• Testato al 100% contro le valanghe
• Questi dispositivi sono privi di piombo e sono conformi alla direttiva RoHS
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