NTD600N80S3Z ACCESO
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NTD600N80S3Z ACCESO
• Tipo. RDS(on) = 550 m
• Carica di gate ultra bassa (tip. qg = 15,5 nC)
• Bassa energia immagazzinata nella capacità di uscita (Eoss = 1,74 J @ 400 V)
• Testato al 100% contro le valanghe
• Capacità ESD migliorata con diodo Zener
• Conforme alla direttiva RoHS
• Tipo. RDS(on) = 550 m
• Carica di gate ultra bassa (tip. qg = 15,5 nC)
• Bassa energia immagazzinata nella capacità di uscita (Eoss = 1,74 J @ 400 V)
• Testato al 100% contro le valanghe
• Capacità ESD migliorata con diodo Zener
• Conforme alla direttiva RoHS
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