TLC6C598QPWRQ1 TI
| Disponibile |
TLC6C598QPWRQ1 TI
• Qualificato per applicazioni automobilistiche
• Qualificato AEC-Q100 con i seguenti risultati:
– Grado di temperatura del dispositivo 1: intervallo di temperatura ambiente di funzionamento da -40 °C a 125 °C
– Dispositivo HBM ESD Classificazione Livello H2
– Dispositivo CDM ESD Livello di classificazione C3B
• Ampia Vcc da 3 V a 5,5 V
• Potenza nominale massima in uscita di.40 V
• Otto uscite a transistor DMOS di potenza di 50 mA di corrente continua con VCC = 5 V
• Protezione da arresto termico
• Cascata migliorata per più fasi
• Tutti i registri vengono cancellati con un singolo ingresso
• Basso consumo energetico
• Tempo di commutazione lento (tr e tf ), che aiuta in modo significativo a ridurre le EMI
• Pacchetto TSSOP-PW a 16 pin
• Pacchetto SOIC-D a 16 pin
• Qualificato per applicazioni automobilistiche
• Qualificato AEC-Q100 con i seguenti risultati:
– Grado di temperatura del dispositivo 1: intervallo di temperatura ambiente di funzionamento da -40 °C a 125 °C
– Dispositivo HBM ESD Classificazione Livello H2
– Dispositivo CDM ESD Livello di classificazione C3B
• Ampia Vcc da 3 V a 5,5 V
• Potenza nominale massima in uscita di.40 V
• Otto uscite a transistor DMOS di potenza di 50 mA di corrente continua con VCC = 5 V
• Protezione da arresto termico
• Cascata migliorata per più fasi
• Tutti i registri vengono cancellati con un singolo ingresso
• Basso consumo energetico
• Tempo di commutazione lento (tr e tf ), che aiuta in modo significativo a ridurre le EMI
• Pacchetto TSSOP-PW a 16 pin
• Pacchetto SOIC-D a 16 pin
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