TLV70230QDBVRQ1 TI
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TLV70230QDBVRQ1 TI
1 Caratteristiche 1• Qualificato per applicazioni automobilistiche • Qualificato AEC-Q100 con i seguenti risultati: – Grado di temperatura del dispositivo 1: da –40°C a 125°C Intervallo di temperatura ambiente di funzionamento – Livello di classificazione ESD HBM del dispositivo H2 – Livello di classificazione ESD CDM del dispositivo C4B • Caduta di tensione molto bassa: – 37 mV a IOUT = 50 mA, VOUT = 2,8 V – 75 mV a IOUT = 100 mA, VOUT = 2,8 V - 220 mV con IOUT = 300 mA, VOUT = 2,8 V - 2% di precisione sulla temperatura - Basso IQ: 35 μA - Combinazioni di tensione di uscita fissa possibili da 1,2 V a 4,8 V - PSRR elevato: 68 dB a 1 kHz - Stabile con capacità effettiva di 0,1 μF (1) - Arresto termico e protezione da sovracorrente - Contenitori: SOT a 5 pin (DBV e DDC) e 1,5 mm × 1,5 mm, WSON a 6 pin
1 Caratteristiche 1• Qualificato per applicazioni automobilistiche • Qualificato AEC-Q100 con i seguenti risultati: – Grado di temperatura del dispositivo 1: da –40°C a 125°C Intervallo di temperatura ambiente di funzionamento – Livello di classificazione ESD HBM del dispositivo H2 – Livello di classificazione ESD CDM del dispositivo C4B • Caduta di tensione molto bassa: – 37 mV a IOUT = 50 mA, VOUT = 2,8 V – 75 mV a IOUT = 100 mA, VOUT = 2,8 V - 220 mV con IOUT = 300 mA, VOUT = 2,8 V - 2% di precisione sulla temperatura - Basso IQ: 35 μA - Combinazioni di tensione di uscita fissa possibili da 1,2 V a 4,8 V - PSRR elevato: 68 dB a 1 kHz - Stabile con capacità effettiva di 0,1 μF (1) - Arresto termico e protezione da sovracorrente - Contenitori: SOT a 5 pin (DBV e DDC) e 1,5 mm × 1,5 mm, WSON a 6 pin
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