TPL7407LAQPWRQ1 TI
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TPL7407LAQPWRQ1 TI
1 Caratteristiche 1• Qualificato per applicazioni automobilistiche • Qualificato AEC-Q100 con i seguenti risultati: – Grado di temperatura del dispositivo 1: da –40°C a +125°C Intervallo di temperatura ambiente di funzionamento – Dispositivo HBM Classificazione ESD Livello 2 – Dispositivo CDM Livello di classificazione ESD C4B • Corrente di drain nominale 600 mA (per canale) • CMOS Miglioramento pin-to-pin dell'array Darlington a 7 canali (ad esempio: ULN2003A) • Efficienza energetica (VOL molto basso) - VOL inferiore di 4 volte a 100 mA rispetto all'array Darlington • Molto basso Perdita di uscita < 10 nA Per Channel • High-Voltage Outputs 30 V • Compatible with 1.8-V to 5-V Microcontroller and Logic Interface • Internal Free-wheeling Diodes for Inductive Kickback Protection • Input Pull-down Resistors Allows Tri-stating the Input Driver • Input RC-Snubber to Eliminate Spurious Operation in Noisy Environment • ESD Protection Exceeds JESD 22 – 2-kV HBM, 500-V CDM
1 Caratteristiche 1• Qualificato per applicazioni automobilistiche • Qualificato AEC-Q100 con i seguenti risultati: – Grado di temperatura del dispositivo 1: da –40°C a +125°C Intervallo di temperatura ambiente di funzionamento – Dispositivo HBM Classificazione ESD Livello 2 – Dispositivo CDM Livello di classificazione ESD C4B • Corrente di drain nominale 600 mA (per canale) • CMOS Miglioramento pin-to-pin dell'array Darlington a 7 canali (ad esempio: ULN2003A) • Efficienza energetica (VOL molto basso) - VOL inferiore di 4 volte a 100 mA rispetto all'array Darlington • Molto basso Perdita di uscita < 10 nA Per Channel • High-Voltage Outputs 30 V • Compatible with 1.8-V to 5-V Microcontroller and Logic Interface • Internal Free-wheeling Diodes for Inductive Kickback Protection • Input Pull-down Resistors Allows Tri-stating the Input Driver • Input RC-Snubber to Eliminate Spurious Operation in Noisy Environment • ESD Protection Exceeds JESD 22 – 2-kV HBM, 500-V CDM
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