NTMFS4D2N10MDT1G ACCESO
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NTMFS4D2N10MDT1G ACCESO
• Tecnologia MOSFET a gate schermato
• Bassa RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
• Basso QG e capacità per ridurre al minimo le perdite del driver
• Basso QRR, diodo del corpo di recupero morbido
• Basso QOSS per migliorare l'efficienza del carico leggero
• Questi dispositivi sono privi di piombo, alogeni/BFR, berillio e conformi alla direttiva RoHS
• Tecnologia MOSFET a gate schermato
• Bassa RDS(on) per ridurre al minimo le perdite di conduzione
• Basso QG e capacità per ridurre al minimo le perdite del driver
• Basso QRR, diodo del corpo di recupero morbido
• Basso QOSS per migliorare l'efficienza del carico leggero
• Questi dispositivi sono privi di piombo, alogeni/BFR, berillio e conformi alla direttiva RoHS
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