NTNS3A65PZT5G IL
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NTNS3A65PZT5G IL
• MOSFET a canale P singolo
• SOT−883 (XDFN3) a profilo ultra basso 1,0 x 0,6 x 0,4 mm per ambienti estremamente sottili come l'elettronica portatile
• Soluzione a bassa RDS(on) in un contenitore ultra piccolo da 1,0 x 0,6 mm
• Azionamento del cancello da 1,5 V
• Questi dispositivi sono privi di piombo, alogeni/BFR e conformi alla direttiva RoHS
• MOSFET a canale P singolo
• SOT−883 (XDFN3) a profilo ultra basso 1,0 x 0,6 x 0,4 mm per ambienti estremamente sottili come l'elettronica portatile
• Soluzione a bassa RDS(on) in un contenitore ultra piccolo da 1,0 x 0,6 mm
• Azionamento del cancello da 1,5 V
• Questi dispositivi sono privi di piombo, alogeni/BFR e conformi alla direttiva RoHS
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