TPS65150QPWPRQ1 TI
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TPS65150QPWPRQ1 TI
1 Caratteristiche 1• Qualificato AEC-Q100: – Grado di temperatura del dispositivo 1: da –40°C a 125°C Temperatura di giunzione – Classificazione ESD HBM del dispositivo secondo AEC - Q100-002 – Classificazione ESD CDM del dispositivo secondo AEC - Q100-011 • Intervallo di tensione di ingresso: da 1,8 V a 6 V • Convertitore boost V(VS) – Tensione di uscita fino a 15 V – < 1% Output Voltage Accuracy – 2-A Switch Current Limit • V(VGH) Positive Regulated Charge Pump Driver – Up to 30 V Output Voltage – Gate Voltage Shaping • V(VGL) Negative Regulated Charge Pump Driver – Down to –15 V Output Voltage • Integrated VCOM Buffer • Adjustable Power On Sequencing – Gate Drive Signal for External Isolation MOSFET for V(VS) • Protection Features – Out-of-Regulation Protection – Over-voltage Protection – Adjustable Fault Detection Timing – Thermal Shutdown • 24-Pin TSSOP Package with Exposed Thermal Pad
1 Caratteristiche 1• Qualificato AEC-Q100: – Grado di temperatura del dispositivo 1: da –40°C a 125°C Temperatura di giunzione – Classificazione ESD HBM del dispositivo secondo AEC - Q100-002 – Classificazione ESD CDM del dispositivo secondo AEC - Q100-011 • Intervallo di tensione di ingresso: da 1,8 V a 6 V • Convertitore boost V(VS) – Tensione di uscita fino a 15 V – < 1% Output Voltage Accuracy – 2-A Switch Current Limit • V(VGH) Positive Regulated Charge Pump Driver – Up to 30 V Output Voltage – Gate Voltage Shaping • V(VGL) Negative Regulated Charge Pump Driver – Down to –15 V Output Voltage • Integrated VCOM Buffer • Adjustable Power On Sequencing – Gate Drive Signal for External Isolation MOSFET for V(VS) • Protection Features – Out-of-Regulation Protection – Over-voltage Protection – Adjustable Fault Detection Timing – Thermal Shutdown • 24-Pin TSSOP Package with Exposed Thermal Pad
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